ФД200Р12КЕ3ФОСА1
Описание:
Модуль IGBT 1200В 200А
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
200 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
c
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2,15 В при 15 В, 200 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C ~ 125°C
Ток - предел коллектора (макс.):
5 мам
Тип IGBT:
Остановка в окопах
Пакет / чемодан:
Модуль
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
14 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФД200Р12
Введение
Модуль IGBT "Транш-фелд-стоп" однотонный 1200 V 200 A Модуль установки на шасси
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: