ФС35Р12В1Т4Б11БОМА1
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
65 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
EasyPACK™
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2,25 В при 15 В, 35 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C ~ 150°C
Ток - предел коллектора (макс.):
1 мА
Тип IGBT:
Остановка в окопах
Мощность - Макс:
225 w
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
2 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор
Термистор NTC:
- Да, конечно.
Номер базовой продукции:
ФС35Р12
Введение
Инвертор 1200 v диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT трехфазный модуль держателя 65 шасси a 225 w
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: