МГ12100С-БН2ММ
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
140 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль С-3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1,7 В при 15 В, 100 А (тип.)
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
S3
Мфр:
Littelfuse Inc.
Операционная температура:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.):
1 мА
Тип IGBT:
Остановка в окопах
Мощность - Макс:
450 w
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
7,1 нФ при 25 В
Конфигурация:
Половина моста
Термистор NTC:
Нет, нет.
Введение
Мост 1200 v половины диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT держатель S3 140 шасси a 450 w
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: