FP15R12KS4CBOSA1
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
30 a
Статус продукта:
В последний раз покупал
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 15A
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C ~ 125°C
Ток - предел коллектора (макс.):
5 мам
Тип IGBT:
-
Мощность - Макс:
180 Вт
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
1 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
- Да, конечно.
Номер базовой продукции:
ФП15Р12
Введение
Модуль одиночное 1200 v IGBT модуль держателя 30 шасси a 180 w
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: