АПТГТ150ДА60Т1Г
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
225 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
sp1
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.9В @ 15В, 150А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
600 В
Пакет изделий поставщика:
sp1
Мфр:
Технология микрочипов
Операционная температура:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Ток - предел коллектора (макс.):
250 μA
Тип IGBT:
Остановка в окопах
Мощность - Макс:
480 w
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
9,2 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
- Да, конечно.
Номер базовой продукции:
АПТГТ150
Введение
Диафрагма поля зрения канавы модуля IGBT определяет 600 v держатель SP1 225 шасси a 480 w
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: