FS50R12W2T7B11BOMA1
Описание:
MOD 1200V 50A IGBT
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
50 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
EasyPACK™
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.5V @ 15V, 50A (тип)
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°С ~ 175°С
Ток - предел коллектора (макс.):
7,9 мкА
Тип IGBT:
Остановка в окопах
Мощность - Макс:
20 mW
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
nF 11,1 @ 25 v
Конфигурация:
Полный мост
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФС50Р12
Введение
Мост 1200 v 50 a диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT полный модуль держателя 20 шасси mW
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: