ФФ150Р12РТ4ХОСА1
Описание:
БТИЗ МОД 1200В 150А 790Вт
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
150 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Поднос
Серия:
c
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2,15 В при 15 В, 150 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
1200 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Ток - предел коллектора (макс.):
1 мА
Тип IGBT:
Остановка в окопах
Мощность - Макс:
790 w
Ввод:
Стандартный
Операционная температура:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Конфигурация:
Половина моста
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
FF150R12R
Введение
Мост 1200 v половины диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT 150 модуль держателя a 790 w поверхностный
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: