ПДТД113ЗК,115
Описание:
Транс Пребиас НПН 250 МВт SMT3
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Одиночные биполярные транзисторы с
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
500 мам
Статус продукта:
Старый
Тип транзистора:
NPN - Пре-пристрастное
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
SMT3; MPAK
Резистор - основание (R1):
kOhms 1
Мфр:
NXP USA Inc.
Резистор - основание излучателя (R2):
10 kOhms
Ток - предел коллектора (макс.):
500nA
Мощность - Макс:
250 мВт
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Номер базовой продукции:
PDTD113
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) NPN - предварительно предвзятый 50 V 500 mA 250 mW поверхностный монтаж SMT3; MPAK
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: