МРФ5С19100ХСР5
Описание:
FET RF 65V 1,99 ГГц NI-780S
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Напряжение - номинальное:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
NI-780S
Напряжение тока - тест:
28 В
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
10,93 ГГц ~ 1,99 ГГц
Прибыль:
130,9 дБ
Пакет / чемодан:
NI-780S
Настоящий - тест:
1 А
Мощность - выход:
22W
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
-
Номер базовой продукции:
MRF5
Введение
RF Mosfet 28 V 1 A 1,93 ГГц ~ 1,99 ГГц 13,9 дБ 22 Вт NI-780S
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: