БЛФ6Г22ЛС-130,112
Описание:
FET LDMOS 65V 17DB SOT502B RF
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Напряжение - номинальное:
65 v
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
SOT502B
Напряжение тока - тест:
28 В
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
2.11GHz | 2.17GHz
Прибыль:
17 дБ
Пакет / чемодан:
SOT-502B
Настоящий - тест:
1,1 a
Мощность - выход:
30 Вт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
34A
Номер базовой продукции:
BLF6G22
Введение
RF Mosfet 28 В 1,1 А 2,11–2,17 ГГц 17 дБ 30 Вт SOT502B
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: