НХДТА144ЭТР
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Одиночные биполярные транзисторы с
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 мам
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
ПНП - предвзятое
Частота - переход:
150 MHz
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
Автомобильный, AEC-Q101
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic:
100mV @ 500μA, 10mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
80 В
Пакет изделий поставщика:
TO-236AB
Резистор - основание (R1):
47 kOhms
Мфр:
Nexperia США Inc.
Резистор - основание излучателя (R2):
47 kOhms
Ток - предел коллектора (макс.):
100nA
Мощность - Макс:
250 мВт
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce:
100 @ 10mA, 5В
Номер базовой продукции:
NHDTA144
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) PNP - Предварительно предвзятый 80 V 100 mA 150 MHz 250 mW Поверхностная установка TO-236AB
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: