DTC043EMT2L
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Одиночные биполярные транзисторы с
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 мам
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
NPN - Пре-пристрастное
Частота - переход:
250 МГц
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic:
150mV @ 500μA, 5mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
VMT3
Резистор - основание (R1):
4,7 кОм
Мфр:
Полупроводники Rohm
Резистор - основание излучателя (R2):
4,7 кОм
Ток - предел коллектора (макс.):
-
Мощность - Макс:
150 mW
Пакет / чемодан:
СОТ-723
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce:
20 @ 5mA, 10В
Номер базовой продукции:
DTC043
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) NPN - Предварительно предвзятый 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Поверхностная установка VMT3
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: