RN1110 ((T5L,F,T)
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Одиночные биполярные транзисторы с
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 мам
Статус продукта:
Старый
Тип транзистора:
NPN - Пре-пристрастное
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Частота - переход:
250 МГц
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
ССМ
Резистор - основание (R1):
4,7 кОм
Мфр:
Полупроводник и хранение Тошиба
Ток - предел коллектора (макс.):
100nA (ICBO)
Мощность - Макс:
100 mW
Пакет / чемодан:
SC-75, SOT-416
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce:
120 @ 1mA, 5В
Номер базовой продукции:
RN1110
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) NPN - предварительно предвзятый 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW SSM поверхностного монтажа
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: