A3G26D055N-2515
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - номинальное:
125 В
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
6-PDFN (7x6.5)
Напряжение тока - тест:
48 В
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
100 МГц ~ 2,69 ГГц
Прибыль:
130,9 дБ
Пакет / чемодан:
6-LDFN подложка
Настоящий - тест:
40 мам
Мощность - выход:
8w
Технологии:
GaN
Регулируемый ток (ампер):
-
Введение
RF Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN (7x6.5)
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: