МУН5215Т1
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Одиночные биполярные транзисторы с
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 мам
Статус продукта:
Старый
Тип транзистора:
NPN - Пре-пристрастное
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic:
250 мВ @ 1 мА, 10 мА
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
SC-70-3 (SOT323)
Резистор - основание (R1):
10 kOhms
Мфр:
на полу
Ток - предел коллектора (макс.):
500nA
Мощность - Макс:
202 мВт
Пакет / чемодан:
SC-70, SOT-323
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce:
160 @ 5mA, 10В
Номер базовой продукции:
MUN5215
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) NPN - предварительно предвзятый 50 V 100 mA 202 mW Поверхностная установка SC-70-3 (SOT323)
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: