МРФ6В10250ХСР3
Описание:
FET RF 100V 1,09 GHz NI780S
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Напряжение - номинальное:
100 В
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
NI-780S
Напряжение тока - тест:
50 В
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
10,09 ГГц
Прибыль:
21dB
Пакет / чемодан:
NI-780S
Настоящий - тест:
250 мам
Мощность - выход:
250 Вт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
-
Номер базовой продукции:
MRF6
Введение
RF Mosfet 50 V 250 mA 1,09 ГГц 21 дБ 250 Вт NI-780S
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: