БЛП8Г21С-160ПВИ
Описание:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - номинальное:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Конфигурация:
Двойной, общий источник
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
6-HSOPF
Напряжение тока - тест:
28 В
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
10,88 ГГц ~ 1,92 ГГц
Прибыль:
17.5 дБ
Пакет / чемодан:
SOT-1221-1
Настоящий - тест:
600 мам
Мощность - выход:
20 Вт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
-
Номер базовой продукции:
BLP8
Введение
RF Mosfet 28 V 600 mA 1,88 ГГц ~ 1,92 ГГц 17,5 дБ 20 Вт 6-HSOPF
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: