БЛП8Г27-5З
Описание:
RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - номинальное:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
16-HVSON (6х4)
Напряжение тока - тест:
28 В
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
2.14 ГГц
Прибыль:
18dB
Пакет / чемодан:
16-VDFN подвергло пусковая площадка действию
Настоящий - тест:
55 мА
Мощность - выход:
750 мВт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
-
Номер базовой продукции:
BLP8
Введение
RF Mosfet 28 В 55 мА 2,14 ГГц 18 дБ 750 мВт 16-HVSON (6x4)
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: