АФТ26Х200В03СР6
Описание:
FET RF 2CH 65V 2,5 ГГц NI1230S-4
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Напряжение - номинальное:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
NI-1230-4S
Напряжение тока - тест:
28 В
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
2.5 ГГц
Прибыль:
14.1 дБ
Пакет / чемодан:
NI-1230-4S
Настоящий - тест:
500 мам
Мощность - выход:
45 Вт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
-
Номер базовой продукции:
AFT26
Введение
RF Mosfet 28 V 500 mA 2,5 GHz 14,1 дБ 45 Вт NI-1230-4S
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: