BLS6G2731S-120,112
Описание:
RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Подвеска на шасси
Напряжение - номинальное:
60 В
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
SOT502B
Напряжение тока - тест:
32 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
20,7 ГГц ~ 3,1 ГГц
Прибыль:
13.5dB
Пакет / чемодан:
SOT-502B
Настоящий - тест:
100 мам
Мощность - выход:
120 Вт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
33А
Номер базовой продукции:
BLS6
Введение
RF Mosfet 32 V 100 mA 2,7 ГГц ~ 3,1 ГГц 13,5 дБ 120 Вт SOT502B
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: