CGH21120F
Описание:
120 Вт, GAN HEMT, 28 Вт, 1,8-2,1 ГГц,
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Напряжение - номинальное:
84 v
Пакет:
Поднос
Серия:
GaN
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
440162
Напряжение тока - тест:
28 В
Мфр:
Wolfspeed, Inc.
Частота:
10,8 ГГц ~ 2,3 ГГц
Прибыль:
15 дБ
Пакет / чемодан:
440162
Настоящий - тест:
500 мам
Мощность - выход:
120 Вт
Технологии:
HEMT
Регулируемый ток (ампер):
-
Номер базовой продукции:
CGH21120
Введение
RF Mosfet 28 V 500 mA 1,8 ГГц ~ 2,3 ГГц 15 дБ 120 Вт 440162
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: