BLS6G3135-120,112
Описание:
RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Напряжение - номинальное:
60 В
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
SOT502A
Напряжение тока - тест:
32 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
3.1 ГГц ~ 3,5 ГГц
Прибыль:
11 дБ
Пакет / чемодан:
SOT-502A
Настоящий - тест:
100 мам
Мощность - выход:
120 Вт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
7.2A
Номер базовой продукции:
BLS6
Введение
RF Mosfet 32 V 100 mA 3,1 ГГц ~ 3,5 ГГц 11 дБ 120 Вт SOT502A
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: