1214ГН-400ЛВ
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - номинальное:
150 В
Пакет:
Насыщенные
Серия:
LV
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
55-КР
Напряжение тока - тест:
50 В
Мфр:
Технология микрочипов
Частота:
1.2 ГГц ~ 1.4 ГГц
Прибыль:
16.8dB
Пакет / чемодан:
55-КР
Настоящий - тест:
200 мА
Мощность - выход:
400 Вт
Технологии:
HEMT
Регулируемый ток (ампер):
-
Введение
RF Mosfet 50 V 200 mA 1,2 ГГц ~ 1,4 ГГц 16,8 дБ 400 Вт 55-КР
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: