NE5520379A-T1A-A
Описание:
Силиконовый средний мощность LDMOSFET, R
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - номинальное:
15 В
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
79A
Напряжение тока - тест:
3,2 v
Мфр:
CEL
Частота:
915MHz
Прибыль:
16 дБ
Пакет / чемодан:
4-SMD, плоские провода
Настоящий - тест:
600 мам
Мощность - выход:
35.5 дБм
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
-
Введение
RF Mosfet 3,2 V 600 mA 915MHz 16dB 35,5dBm 79A
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: