LET20030C
Описание:
FET RF 80V 2GHZ M243
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Напряжение - номинальное:
80 В
Пакет:
Коробка
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
M243
Напряжение тока - тест:
28 В
Мфр:
STMикроэлектроника
Частота:
2 ГГц
Прибыль:
130,9 дБ
Пакет / чемодан:
M243
Настоящий - тест:
400 мам
Мощность - выход:
45 Вт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
9А
Номер базовой продукции:
LET20030
Введение
RF Mosfet 28 V 400 mA 2 ГГц 13,9 дБ 45 Вт M243
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: