BLF7G10L-250,112
Описание:
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
Категория:
Интегральная схемаа TI
In-stock:
на складе
Метод оплаты:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Напряжение - номинальное:
65 v
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Число шума:
-
Пакет изделий поставщика:
SOT502A
Напряжение тока - тест:
30 В
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
920 - 960 МГц
Прибыль:
19.5 дБ
Пакет / чемодан:
SOT-502A
Настоящий - тест:
1.8 А
Мощность - выход:
60 Вт
Технологии:
ldmos
Регулируемый ток (ампер):
-
Номер базовой продукции:
BLF7G10
Введение
RF Mosfet 30 В 1,8 А 920–960 МГц 19,5 дБ 60 Вт SOT502A
Отправьте RFQ
Запасы:
In Stock
МОК: