ФЗ1200Р33КФ2КНОСА1
Описание:
МОДУЛЬ 3300V 2000A IGBT
Категория:
Интегральная схемаа TI
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
2000 А
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Подвеска на шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
4.25V @ 15V, 1200A
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
3300 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C ~ 125°C
Ток - предел коллектора (макс.):
12 мамы
Тип IGBT:
-
Мощность - Макс:
14500 w
Ввод:
Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
150 нФ при 25 В
Конфигурация:
Полный мост
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФЗ1200
Введение
Мост 3300 v модуля IGBT полный 2000 модулей держателя шасси a 14500 w
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: